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• 西安光学精密机械研... [10]

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• OAI收割 [10]

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• 专利 [10]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光走査光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP5365592B2, 申请日期: 2013-09-20, 公开日期: 2013-12-11 作者:  長岡 敦;  長坂 泰志;  松尾 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 光走査光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2012037784A, 申请日期: 2012-02-23, 公开日期: 2012-02-23 作者:  長坂 泰志;  長岡 敦;  松尾 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 レーザ光源ユニット 专利  OAI收割 专利号: JP2011035099A, 申请日期: 2011-02-17, 公开日期: 2011-02-17 作者:  草野 秀昭;  長坂 泰志;  長岡 敦;  松尾 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 レーザ光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010123597A, 申请日期: 2010-06-03, 公开日期: 2010-06-03 作者:  松尾 隆宏;  長坂 泰志;  草野 秀昭;  長岡 敦   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 光源ユニット及びこれを備えた光走査装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010091779A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22 作者:  松尾 隆宏;  長坂 泰志;  草野 秀昭;  長岡 敦   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 レーザ走査光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010091799A, 申请日期: 2010-04-22, 公开日期: 2010-04-22 作者:  草野 秀昭;  長岡 敦;  長坂 泰志;  松尾 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998135140A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22 作者:  松岡 隆志   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI族半導体レーザおよびその形成法 专利  OAI收割 专利号: JP1995074424A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17 作者:  松岡 隆志;  川口 悦弘;  大野 哲一郎   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994054825B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20 作者:  松岡 隆志;  柴田 典義   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13 II-VI族半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997008409A, 公开日期: 1997-01-10 作者:  大野 哲一郎;  松岡 隆志;  大木 明   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26