机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]
• 成果 [1]

发表日期

• 1997 [1]
• 1989 [1]
• 1988 [2]
• 1986 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1997, 期号: 8, 页码: 603-608 付军; 栾洪发; 田立林; 钱佩信; 周均铭 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/23 Investigation on N-doped FZ-Si crystals by IR absorption spectrum 期刊论文  OAI收割 rare metals, 1989, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 46 Luan Hongfa; Liang Junwu 收藏  |  浏览/下载：11/1  |  提交时间：2010/11/23 掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备 成果  OAI收割 院科技进步奖: 一等奖, 1988 梁骏吾; 邓礼生; 郑红军; 黄大定; 栾洪发 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/13 硅单晶   掺氮区熔硅单晶深能级的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1988, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 312-314 栾洪发; 梁骏吾; 邓礼生; 郑红军; 黄大定 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/05/14 掺氮区熔硅单晶红外吸收谱和深能级的研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1986 栾洪发 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2009/04/13 Investigation of N-doped FZ Si crystals 期刊论文  OAI收割 the proc. of the international conference on semiconductor and ic technology. world scientific., 1986, 页码: 771-773 Liang Junwu; Deng Lishen; Luan Hongfa; Zeng Hongjun 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/05/14