中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

条数/页： 排序方式：
面型光デバイス、光結合用コネクタ、光ファイバとの光結合方法、光デバイスアレー 专利  OAI收割
专利号: JP3884155B2, 申请日期: 2006-11-24, 公开日期: 2007-02-21
作者:  横内 則之;  内山 誠治;  二ノ宮 隆夫
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000232250A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  岩井 則広;  向原 智一;  横内 則之;  粕川 秋彦
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30
導波路型集積半導体装置の作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000150925A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者:  吉田 順自;  横内 則之;  山口 武治
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000133877A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
作者:  横内 則之;  岩井 則広
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
アレイ光素子モジュール 专利  OAI收割
专利号: JP1999307869A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:  二ノ宮 隆夫;  横内 則之
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30
面発光レーザ·モジュール 专利  OAI收割
专利号: JP1999307868A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:  横内 則之
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30
感度可変導波路型の半導体受光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999068125A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  吉田 順自;  横内 則之;  山口 武治;  西片 一昭
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
光半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP1998142565A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
作者:  横内 則之;  山口 武治
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
面型半導体光デバイス及びその作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998004241A, 申请日期: 1998-01-06, 公开日期: 1998-01-06
作者:  横内 則之
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31