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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助

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GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者:  郑英奎;  赵妙;  欧阳思华;  李艳奎;  刘新宇
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/02/07
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者:  欧阳思华;  赵妙;  刘新宇;  魏珂;  孔欣
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/05/27
确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110163890.4, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-12-19
作者:  刘新宇;  郑英奎;  欧阳思华;  李艳奎;  赵妙
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/09/12
对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06
作者:  欧阳思华;  魏珂;  刘新宇;  郑英奎;  彭铭曾
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/20
多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 专利  OAI收割
专利号: CN200910312391.X, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2011-06-29
作者:  刘新宇;  袁婷婷;  蒲颜;  欧阳思华;  王亮
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/14
 一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法 专利  OAI收割
专利号: CN201010575278.3, 申请日期: 2013-12-25, 公开日期: 2012-07-11
作者:  蒲颜;  陈晓娟;  刘新宇;  李艳奎;  欧阳思华
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/10/12
一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 专利  OAI收割
专利号: CN201010233999.6, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01
作者:  欧阳思华;  赵妙;  王鑫华;  刘新宇;  郑英奎
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/10/12
多级MMIC功率放大器测试系统 期刊论文  OAI收割
Applied Mechanics and Materials, 2012
作者:  欧阳思华;  彭铭曾;  武锦
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/11/01
基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统 期刊论文  OAI收割
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2012
作者:  欧阳思华;  戈勤;  郑英奎
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/11/01
一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法 专利  OAI收割
专利号: CN200910238767.7, 申请日期: 2011-05-25, 公开日期: 2011-05-25
作者:  庞磊;  王亮;  蒲颜;  袁婷婷;  刘新宇
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/11/05