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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3938976B2, 申请日期: 2007-04-06, 公开日期: 2007-06-27
作者:  
森岡 達也;  大林 健;  高橋 幸司;  池田 裕章
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半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3523432B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
作者:  
斉藤 肇;  池田 裕章
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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999068247A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  
池田 裕章
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997199790A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31
作者:  
池田 裕章;  大林 健
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