机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [2]
• 1994 [1]
• 1993 [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 導波路型半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2836822B2, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-12-14 作者:  宮澤 丈夫;  浅井 裕充;  三上 修   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1997326533A, 申请日期: 1997-12-16, 公开日期: 1997-12-16 作者:  廣野 卓夫;  小林 秀紀;  浅井 裕充   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996316578A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29 作者:  尾江 邦重;  浅井 裕充   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996088440A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02 作者:  納富 雅也;  浅井 裕充   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 高抵抗埋込層の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994177487A, 申请日期: 1994-06-24, 公开日期: 1994-06-24 作者:  浅井 裕充;  小▲高▼ 勇;  脇田 紘一   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993251812A, 申请日期: 1993-09-28, 公开日期: 1993-09-28 作者:  脇田 紘一;  小高 勇;  三冨 修;  浅井 裕充   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 光素子の駆動方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993232522A, 申请日期: 1993-09-10, 公开日期: 1993-09-10 作者:  河村 裕一;  浅井 裕充;  岩村 英俊   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31