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レーザ加工装置 专利  OAI收割
专利号: JP4047621B2, 申请日期: 2007-11-30, 公开日期: 2008-02-13
作者:  
坂井 辰彦;  浜田 直也;  城戸 基;  今井 浩文;  杉橋 敦史
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光半導体素子,光半導体素子の製造方法,光半導体装置,光ディスクシステムおよび光磁気ディスクシステム 专利  OAI收割
专利号: JP1999261165A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者:  
比留間 健之;  百瀬 正之;  浜田 博
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994007638B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:  
粂 雅博;  伊藤 国雄;  清水 裕一;  浜田 健
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994007634B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:  
浜田 健;  伊藤 国雄;  渋谷 隆夫;  粂 雅博
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18