机构

• 半导体研究所 [2]
• 近代物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2001 [4]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 2001, 期号: 08, 页码: 979-984 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 Si1-xcx合金  离子注入  损伤缺陷  应变分布   预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2001, 卷号: 2001, 期号: 07, 页码: 1329-1333 王引书,李晋闽,王衍斌,王玉田,孙国胜,林兰英   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/10/29 离子注入  固相外延  Si1-xcx合金   C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 979 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23