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立方晶III族窒化物半導体発光素子およびその作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998173283A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
作者:  田中 秀尚;  中平 篤
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
III族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998125957A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15
作者:  中平 篤;  田中 秀尚
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1993218592A, 申请日期: 1993-08-27, 公开日期: 1993-08-27
作者:  嶋田 純一;  田中 秀尚;  片桐 祥雅;  鈴木 与志雄
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18
化合物半導体の加工方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993037082A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者:  上西 祐司;  田中 秀尚;  鈴木 与志雄;  浮田 宏生
  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18