中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [7]
高能物理研究所 [1]
兰州化学物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [4]
成果 [3]
专利 [2]
发表日期
2024 [1]
2022 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1998 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Sculpting Mechanical Properties of Hydrogels by Patterning Seamlessly Interlocked Stiff Skeleton
期刊论文
OAI收割
Advanced Functional Materials, 2024, 卷号: 34, 期号: /, 页码: 2417477
作者:
Bin, Zhu
;
Jiayu, Wu
;
Desheng, Liu
;
Yuke, Yan
;
Xingxing, Yang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2024/12/13
Promoting nickel oxidation state transitions in single-layer NiFeB hydroxide nanosheets for efficient oxygen evolution
期刊论文
OAI收割
Nature Communications, 2022, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 6094
作者:
Bai, Yuke
;
Wu, Yu
;
Zhou, Xichen
;
Ye, Yifan
;
Nie, Kaiqi
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2023/11/10
单晶炉的多管式结构
专利
OAI收割
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-01-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
白玉珂
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2009/06/11
高温高压气体容器的轴的动态密封装置
专利
OAI收割
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
白玉珂
收藏
  |  
浏览/下载:67/3
  |  
提交时间:2009/06/11
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 1999, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 111
郑红军
;
卜俊鹏
;
何宏家
;
吴让元
;
曹福年
;
白玉珂
;
惠峰
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/11/23
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 635
曹福年
;
卜俊鹏
;
吴让元
;
郑红军
;
惠峰
;
白玉珂
;
刘明焦
;
何宏家
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/23
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究
成果
OAI收割
院科技进步奖: 二等奖, 1996
林兰英
;
曹福
;
白玉珂
;
惠峰
;
卜俊鹏
收藏
  |  
浏览/下载:70/0
  |  
提交时间:2010/04/13
Si-GaAs
集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究
成果
OAI收割
院科技进步奖: 三等奖, 1991
林兰英
;
何宏家
;
刘巽琅
;
曹福年
;
白玉珂
收藏
  |  
浏览/下载:78/0
  |  
提交时间:2010/04/13
半绝缘砷化镓
水平法低位错GaAs的单晶
成果
OAI收割
院科技进步奖: 二等奖, 1986
褚一鸣
;
何宏家
;
周伯骏
;
曹福年
;
白玉珂
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/04/13
GaAs