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• 西安光学精密机械研究... [5]
• 长春应用化学研究所 [2]

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内容类型

• 专利 [5]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 1996 [1]
• 1988 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光ピックアップ用温度調節装置 专利  OAI收割 专利号: JP4315749B2, 申请日期: 2009-05-29, 公开日期: 2009-08-19 作者:  山村 章;  石橋 勝利   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ素子及び製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008311547A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25 作者:  加藤 亮;  山田 篤志;  杉浦 勝己;  石橋 明彦   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07 作者:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996162717A, 申请日期: 1996-06-21, 公开日期: 1996-06-21 作者:  水井 順一;  山越 英男;  石橋 勝;  松田 竜一   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 氟化钙单晶中离子注入铕的研究 期刊论文  OAI收割 科学通报, 1988, 期号: 4, 页码: 279-282 石春山; 叶泽人; 高橋勝緒; 岩木正哉; 岡部芳雄 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/06/13 氟化钙单晶  化学方法  稀土离子  系统研究  原子序数   ABeF_3(A=Na,K,Rb,Cs)体系中Eu~(2+)的f→f跃迁发射 期刊论文  OAI收割 中国稀土学报, 1985, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 53-58 石春山; 高橋勝绪; 安部文敏 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/14 发射光谱  跃迁发射  电子能谱  配位数  电子云扩大效应  复合氟化物