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• 西安光学精密机械研... [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置及び熱アシスト磁気記録ヘッド 专利  OAI收割 专利号: JP2014229337A, 申请日期: 2014-12-08, 公开日期: 2014-12-08 作者:  川上 俊之;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/23 キャップ部材およびそれを用いた半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009176764A, 申请日期: 2009-08-06, 公开日期: 2009-08-06 作者:  石田 真也;  花岡 大介   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 帽构件以及采用该帽构件的半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN101447641A, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2009-06-03 作者:  石田真也;  花冈大介;  堀口武   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN100454694C, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 作者:  花冈大介;  石田真也;  高谷邦启;  伊藤茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 面状発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23 作者:  森岡 達也;  石田 真也;  花岡 大介;  種谷 元隆;  藤田 茂夫   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 制造激光器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1877931A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 作者:  石田真也;  小河淳;  花冈大介   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09 作者:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18 作者:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1702927A, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30 作者:  津田有三;  花冈大介;  石田真也   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18