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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2015 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
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共4条,第1-4条
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具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构
专利
OAI收割
专利号: CN104733582A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者:
马修·泽维尔·先尼
;
竹冈忠士
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提交时间:2020/01/18
半导体激光器及电子设备
专利
OAI收割
专利号: CN101165980A, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2008-04-23
作者:
竹冈忠士
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提交时间:2019/12/31
半导体激光器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1301578C, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2007-02-21
作者:
渡辺昌规
;
松本晃广
;
竹冈忠士
;
国政文枝
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提交时间:2020/01/18
半导体激光器件制造方法和半导体激光器件
专利
OAI收割
专利号: CN1773790A, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2006-05-17
作者:
竹冈忠士
;
石仓卓郎
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提交时间:2020/01/18