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半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに該半導体レーザ素子を備えた電子機器 专利  OAI收割
专利号: JP2009302161A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
作者:  
竹岡 忠士
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半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3709077B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者:  
竹岡 忠士
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997097948A, 申请日期: 1997-04-08, 公开日期: 1997-04-08
作者:  
竹岡 忠士;  松井 完益
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995015037A, 申请日期: 1995-01-17, 公开日期: 1995-01-17
作者:  
竹岡 忠士;  渡辺 昌規
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994085386A, 申请日期: 1994-03-25, 公开日期: 1994-03-25
作者:  
松本 晃広;  竹岡 忠士;  佐々木 和明
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13