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半導体レ—ザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000196188A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
作者:  ジョン·レニー;  笹沼 克信
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31
化合物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000101142A, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-04-07
作者:  笹沼 克信;  斎藤 真司;  ジョン レニー
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000058919A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:  笹 沼 克 信;  ジョン レニー;  斎 藤 真 司
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999243251A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
作者:  笹沼 克信;  斎藤 真司;  波多腰 玄一;  西尾 譲司;  小野村 正明
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18