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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3795931B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12
作者:  
堀江 秀善;  藤森 俊成;  長尾 哲;  細井 信行;  後藤 秀樹
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半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000277865A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:  
下山 謙司;  細井 信行
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996125285A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
作者:  
下山 謙司;  細井 信行;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995221345A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
作者:  
堀江 秀善;  藤森 俊成;  長尾 哲;  細井 信行;  後藤 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18