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• 西安光学精密机械研究... [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13 作者:  长谷川義晃;  菅原岳;  安杖尚美;  石桥明彦;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14 作者:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18 作者:  菅原岳;  长谷川义晃;  石桥明彦;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1579040A, 申请日期: 2005-02-09, 公开日期: 2005-02-09 作者:  长谷川义晃;  嵨本敏孝;  菅原岳   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001223428A, 申请日期: 2001-08-17, 公开日期: 2001-08-17 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30 作者:  木戸口 勲;  宮永 良子;  菅原 岳;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13