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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000091699A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者:  菱田 有二
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13
発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998270799A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
作者:  菱田 有二
  |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
P型ZnTe単結晶の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2708866B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
作者:  菱田 有二;  石井 宏明
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体装置および半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996316574A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
作者:  菱田 有二;  吉江 睦之
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996316527A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
作者:  菱田 有二
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13