中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

条数/页： 排序方式：
II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
光モジュールおよび光伝送装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000068586A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:  佐藤 宏;  青木 雅博;  紀川 健;  藤崎 寿美子;  大家 彰
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998242561A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  豊中 隆司;  佐川 みすず;  平本 清久;  紀川 健;  藤崎 寿美子
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体素子および半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26