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机构
高能物理研究所 [4]
武汉物理与数学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
1997 [1]
1995 [1]
1994 [2]
1992 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究
期刊论文
OAI收割
复合材料学报, 1997, 卷号: 014, 期号: 002, 页码: 40
作者:
欧阳世翕
;
任海兰
;
刘韩星
;
张汉林
;
王典芬
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提交时间:2020/01/14
用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布
期刊论文
OAI收割
光谱学与光谱分析, 1995, 期号: 2, 页码: 99-103
作者:
吴强
;
刘亚雯
;
魏成连
;
袁汉章
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/12/25
同步辐射
X射线微荧光分析
杂质分布
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究
期刊论文
OAI收割
分析试验室, 1994, 期号: 3, 页码: 77-80
作者:
闻莺
;
袁汉章
;
朱腾
;
刘亚雯
收藏
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2015/12/25
同步辐射X荧光分析
半导体硅
掺杂元素
锗
微区分析
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As
期刊论文
OAI收割
核技术, 1994, 期号: 8, 页码: 476-480
作者:
吴强
;
刘亚雯
;
魏成连
;
袁汉章
;
朱腾
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2015/12/25
同步辐射
X射线荧光微区分析
杂质As
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布
期刊论文
OAI收割
科学通报, 1992, 期号: 21, 页码: 1949-1951
作者:
刘亚雯
;
吴强
;
胡金生
;
魏成连
;
袁汉章
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提交时间:2015/12/25
同步辐射
X射线微荧光分析
生长界面