机构

• 西安光学精密机械研究... [5]
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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2004 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4040135B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者:  西野 勇;  梅津 一之;  佐川 徹   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 面向Internet的中文新词语检测 期刊论文  OAI收割 中文信息学报, 2004, 卷号: 18.0, 期号: 006, 页码: 1 作者:  孟遥;  于浩;  西野文人;  亢世勇;  邹纲   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2023/12/04 计算机应用  中文信息处理  新词语  自动检测   ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP1997214062A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15 作者:  西野 勇;  佐川 徹;  笛吹 克夫   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 ZnSeホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 专利  OAI收割 专利号: JP1996217599A, 申请日期: 1996-08-27, 公开日期: 1996-08-27 作者:  永田 長寿;  梅津 一之;  佐川 徹;  西野 勇   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 低転位密度の薄膜成長法 专利  OAI收割 专利号: JP1999310493A, 公开日期: 1999-11-09 作者:  西野 勇;  佐川 徹;  田中 理子;  小山 泰幸   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体層構造並びにその形成方法及び半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000049091A, 公开日期: 2000-02-18 作者:  小山 泰幸;  西野 勇;  佐川 徹;  田中 理子   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26