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• OAI收割 [24]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [5]
• 专利 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2008 [7]
• 2007 [14]
• 2006 [3]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集, 2008-12 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/18 用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101295753, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29 谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2012/01/06 用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 专利  OAI收割 专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29 作者:  谢正生;  吴惠桢;  劳燕锋;  刘成;  曹萌   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2020/01/18 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: S1 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 隐形结构  超材料  坐标变换  Maxwell方程组   键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 期号: 11 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生; 龚谦 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 六方ZnO晶体薄膜  立方MgZnO晶体薄膜  紫外光致荧光谱(UVPL)  X射线光电子能谱(XPS)   基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2008 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/18 垂直腔面发射激光器 应变补偿多量子阱 晶片键合 InAsP InGaAsP 布拉格反射镜 有源谐振腔   1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2008 曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/01/18 垂直腔面发射激光器 选择性湿法腐蚀 隧道结结构 InAlAs材料 增益谱峰值 孔径工艺   1.3 μm VCSEL结构制作研究 学位论文  OAI收割 硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007 谢正生 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2012/03/06 垂直腔面发射激光器  气态源分子束外延  金属键合  器件工艺   一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2012/01/06 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者:  吴惠桢;  曹萌;  劳燕锋;  黄占超;  刘成   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18