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• 西安光学精密机械研究... [6]

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• OAI收割 [6]

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• 专利 [6]

发表日期

• 2019 [1]
• 2014 [1]
• 2013 [1]
• 2011 [2]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有低阀值电流的半导体激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN109428264A, 申请日期: 2019-03-05, 公开日期: 2019-03-05 作者:  亚力克斯 约丁;  谷善彦;  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特;  伊藤茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板 专利  OAI收割 专利号: CN203607404U, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2014-05-21 作者:  大薮恭也;  北山善彦;  三谷宗久   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体激光器及晶片 专利  OAI收割 专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16 作者:  谷健太郎;  谷善彦;  川上俊之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102299481A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28 作者:  谷健太郎;  川上俊之;  谷善彦   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2011023406A, 申请日期: 2011-02-03, 公开日期: 2011-02-03 作者:  川口 佳伸;  谷 善彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18 作者:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31