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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
1997 [1]
1996 [1]
1995 [1]
1994 [1]
学科主题
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共4条,第1-4条
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化合物半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
作者:
山本 ▲ミツ▼夫
;
山本 知生
;
中野 純一
;
都築 信頼
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提交时间:2019/12/26
化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法
专利
OAI收割
专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05
作者:
山本 ▲ミツ▼夫
;
山本 知生
;
都築 信頼
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提交时间:2019/12/26
光出力モニタ付半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP1995105555B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者:
福田 光男
;
野口 悦男
;
中野 純一
;
中野 好典
;
植木 峰雄
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994029615A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
作者:
岡安 雅信
;
福田 光男
;
天明 二郎
;
中野 純一
;
都築 信頼
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提交时间:2020/01/13