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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• OAI收割 [4]

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• 专利 [4]

发表日期

• 2012 [2]
• 2008 [1]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 制作氮化物半导体发光器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1755957B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06 作者:  高仓辉芳;  神川刚;  金子佳加   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1581610B, 申请日期: 2012-04-11, 公开日期: 2012-04-11 作者:  神川刚;  山田英司;  荒木正浩;  金子佳加   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100440657C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03 作者:  神川刚;  金子佳加   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1799171A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05 作者:  神川刚;  金子佳加   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18