机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 レーザー光量制御装置 专利  OAI收割 专利号: JP4227265B2, 申请日期: 2008-12-05, 公开日期: 2009-02-18 作者:  鈴木 健彦   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/23 光分岐モジュール及び信号処理装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007057686A, 申请日期: 2007-03-08, 公开日期: 2007-03-08 作者:  岡田 純二;  小関 忍;  木島 勝;  大谷 修;  黒石 範彦   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19 作者:  大井 明彦;  鈴木 健;  松井 俊之;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000143396A, 申请日期: 2000-05-23, 公开日期: 2000-05-23 作者:  鈴木 健;  大井 明彦   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999121800A, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-04-30 作者:  鈴木 健;  松井 俊之;  大井 明彦;  松山 秀昭   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999112107A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  鈴木 健;  松井 俊之;  大井 明彦;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31