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机构
西安光学精密机械研... [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2006 [1]
2003 [2]
2000 [3]
1998 [1]
1994 [6]
1993 [1]
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半導体光増幅器の特性選別方法およびその装置
专利
OAI收割
专利号: JP3863084B2, 申请日期: 2006-10-06, 公开日期: 2006-12-27
作者:
曲 克明
;
伊藤 敏夫
;
上岡 裕之
;
鈴木 安弘
;
大橋 弘美
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提交时间:2019/12/24
導波路付半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3411324B2, 申请日期: 2003-03-20, 公开日期: 2003-05-26
作者:
曲 克明
;
湯田 正宏
;
鈴木 安弘
;
柴田 泰夫
;
笠谷 和生
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提交时间:2019/12/24
半導体光増幅器の測定装置及び測定方法
专利
OAI收割
专利号: JP2003008125A, 申请日期: 2003-01-10, 公开日期: 2003-01-10
作者:
伊藤 敏夫
;
曲 克明
;
佐藤 里江子
;
鈴木 安弘
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提交时间:2019/12/30
半導体光パルス圧縮導波路素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000338453A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
作者:
清水 三聡
;
鈴木 克弘
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提交时间:2019/12/31
波長変換回路
专利
OAI收割
专利号: JP2000250081A, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-09-14
作者:
佐藤 里江子
;
曲 克明
;
鈴木 安弘
;
吉本 直人
;
小熊 学
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提交时间:2019/12/31
J—FET型トランジスタ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3036600B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-04-24
作者:
鈴木 克弘
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提交时间:2019/12/26
二方向注入型半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2815165B2, 申请日期: 1998-08-14, 公开日期: 1998-10-27
作者:
鈴木 克弘
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提交时间:2019/12/26
固体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994302860A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者:
尾上 浩三
;
鈴木 哲哉
;
矢代 弘克
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994302905A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者:
矢代 弘克
;
鈴木 哲哉
;
尾上 浩三
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994283811A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07
作者:
鈴木 哲哉
;
矢代 弘克
;
尾上 浩三
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提交时间:2020/01/13