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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array 期刊论文  OAI收割 中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123 作者:  FAharonian;  VAlekseenko;  An Q(安琪);  Axikegu;  Bai LX(白立新)   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2021/12/06 TeVγ-ray  astronomy  observational  prospect  LHAASO-WCDA   Research on key technology of the optical measurement device used in liquid oxygen tank of carrier rocket 会议论文  OAI收割 Chengdu, China, 2018-06-26 作者:  Wu, Li;  Qiang, Zihao;  Li, Yahui;  Gao, Bo;  Mei, Chao   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/03/26 Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018 作者:  Shan Tang;  Tao GL(陶桂龙);  Li JF(李俊峰);  Zhu HL(朱慧珑);  Wang XL(王晓磊)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/20 半导体器件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05 作者:  徐秋霞;  朱慧珑;  许高博;  周华杰;  梁擎擎   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/03/27 Image motion compensation method on reflector multi degree of freedom of aerial cameras 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2018-05-22 作者:  Chen, Weining;  Gao, Bo;  Peng, Jianwei;  Mei, Chao;  Zhang, Hongwei   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/03/12 A high-precision institutional design and mechanical performance analysis of the medium-wave infrared continuous zoom 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2018-05-22 作者:  Gao, Bo;  Chang, Sansan;  Bian, He;  Chen, Weining;  Zhao, Yue   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/03/07 CMOS器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210075694.6, 申请日期: 2017-05-03, 公开日期: 2013-09-25 作者:  赵超;  许高博;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/04/10 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文  OAI收割 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚)   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/05/09 Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Liang QQ(梁擎擎);  Liu JB(刘金彪);  Li JF(李俊峰);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/05/31 Study of Hetero-Tunneling gFET with an Ultra-shallow Pocket Junction 会议论文  OAI收割 作者:  Wang DH(王大海);  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘);  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/05/07