中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共4条,第1-4条 帮助

条数/页: 排序方式:
Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8309380, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
作者:  
AKITA, KATSUSHI;  ISHIZUKA, TAKASHI;  FUJII, KEI;  NAGAI, YOUICHI;  NAKAHATA, HIDEAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24
Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24
作者:  
ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/12/26
Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
作者:  
AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2019/12/24
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
作者:  
YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/24