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• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor light emitting device and optical transceiver 专利  OAI收割 专利号: US9871347, 申请日期: 2018-01-16, 公开日期: 2018-01-16 作者:  HATORI, NOBUAKI;  ISHIZAKA, MASASHIGE;  SHIMIZU, TAKANORI;  ARAKAWA, YASUHIKO;  IWAMOTO, SATOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device and fabrication method for semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US8483252, 申请日期: 2013-07-09, 公开日期: 2013-07-09 作者:  HATORI, NOBUAKI;  YAMAMOTO, TSUYOSHI;  SUDO, HISAO;  ARAKAWA, YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Optical semiconductor device having active layer of p-type quantum dot structure and its manufacture method 专利  OAI收割 专利号: US8232125, 申请日期: 2012-07-31, 公开日期: 2012-07-31 作者:  HATORI, NOBUAKI;  YAMAMOTO, TSUYOSHI;  SUDO, HISAO;  ARAKAWA, YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Optical semiconductor device having diffraction grating 专利  OAI收割 专利号: US7738523, 申请日期: 2010-06-15, 公开日期: 2010-06-15 作者:  HATORI, NOBUAKI;  YAMAMOTO, TSUYOSHI;  ARAKAWA, YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Optimizing the gaas capping layer growth of 1.3 mu m inas/gaas quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang, Tao;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  Inas  Gaas  Laser diodes   Effects of accumulated strain on the surface and optical properties of stacked 1.3 mu m inas/gaas quantum dot structures 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 2182-2184 作者:  Yang, Tao;  Tatebayashi, Jun;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Lasers  Mocvd   Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled inas/gaas quantum dots emitting at 1.3 mu m 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 3 作者:  Yang, Tao;  Tatebayashi, Jun;  Aoki, Kanna;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912 Yang T (Yang, Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun); Aoki K (Aoki, Kanna); Nishioka M (Nishioka, Masao); Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Improved surface morphology of stacked 1.3 mu m inas/gaas quantum dot active regions by introducing annealing processes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 8, 页码: 3 作者:  Yang, Tao;  Tatebayashi, Jun;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Improved surface morphology of stacked 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot active regions by introducing annealing processes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 8, 页码: art.no.081902 Yang T (Yang Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi Jun); Nishioka M (Nishioka Masao); Arakawa Y (Arakawa Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THRESHOLD CURRENT  ROOM-TEMPERATURE  LASERS  MODULATION  LAYER