机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2001 [1]
• 1988 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: US6861663, 申请日期: 2005-03-01, 公开日期: 2005-03-01 作者:  SAWAZAKI, KATSUHISA;  ASAI, MAKOTO;  KANEYAMA, NAOKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 III nitride compound semiconductor element an electrode forming method 专利  OAI收割 专利号: US6806571, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19 作者:  SHIBATA, NAOKI;  UEMURA, TOSHIYA;  ASAI, MAKOTO;  KOIDE, YASUO;  MURAKAMI, MASANORI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: EP1041650A3, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10 作者:  KANEYAMA, NAOKI;  ASAI, MAKOTO;  SAWAZAKI, KATSUHISA   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988172483A, 申请日期: 1988-07-16, 公开日期: 1988-07-16 作者:  ASAI MAKOTO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 Method for producing group III nitride compounds semiconductor 专利  OAI收割 专利号: US20040169192A1, 公开日期: 2004-09-02 作者:  KATO, HISAKI;  ASAI, MAKOTO;  KANEYAMA, NAOKI;  SAWAZAKI, KATSUHISA   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Light-emitting diode and process for producing the same 专利  OAI收割 专利号: US20060273324A1, 公开日期: 2006-12-07 作者:  ASAI, MAKOTO;  YAMAZAKI, SHIRO;  KOZAWA, TAKAHIRO;  NARUKAWA, MITSUHISA   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26