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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2014 [2]
2010 [1]
2009 [2]
学科主题
半导体器件 [2]
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 2014, 卷号: 395, 395, 页码: 9-13, 9-13
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
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提交时间:2015/03/25
AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 2014, 卷号: 395, 395, 页码: 9-13, 9-13
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
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提交时间:2015/03/25
Magnetoresistance in a nominally undoped InGaN thin film
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:
Ding K
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提交时间:2010/04/28
NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
DIODES
A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 97, 期号: 2, 页码: 465-468
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
;
Yi XY (Yi, X. Y.)
;
Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
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提交时间:2010/03/08
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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提交时间:2010/03/08
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