机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [2]
• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 Lv, YJ; Lin, ZJ; Corrigan, TD; Zhao, JZ; Cao, ZF; Meng, LG; Luan, CB; Wang, ZG; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：69/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980 Zhao, JZ; Lin, ZJ; Corrigan, TD; Zhang, Y; Lu, YJ; Lu, W; Wang, ZG; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 SPECTROSCOPY  METALS  NI   Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984 Zhao JZ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhang Y; Lu YJ; Lu W; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：100/25  |  提交时间：2010/03/08 relative permittivity  AlGaN barrier layer  AlGaN/GaN heterostructures   The influence of Schottky contact metals on the strain of AlGaN barrier layers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: art. no. 044503 Lin, ZJ; Zhao, JZ; Corrigan, TD; Wang, Z; You, ZD; Wang, ZG; Lu, W 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/03/08 PIEZOELECTRIC POLARIZATION  HETEROSTRUCTURES   Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507 Zhao J (Zhao, Jianzhi); Lin Z (Lin, Zhaojun); Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.); Wang Z (Wang, Zhen); You Z (You, Zhidong); Wang Z (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/29 FIELD-EFFECT TRANSISTORS