机构

• 物理研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2002 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Negative differential capacitance of quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Wang, SD;  Sun, ZZ;  Cue, N;  Xu, HQ;  Wang, XR 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/09 Roughening and islanding of monolayer Ge coverage on vicinal Si(001) surface 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1998, 卷号: 126, 期号: 3-4, 页码: 213 Guo, LW; Lin, N; Huang, Q; Zhou, JM; Cue, N 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/24 STRAIN  GROWTH  LAYER  SI(100)  MORPHOLOGY  EPITAXY  STRESS   Lateral range spread of MeV phosphorus ions implanted in silicon measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1997, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 273 Shi, BR; Cue, N; Smith, TL; Xu, TB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/18 PROFILE CALCULATIONS  DISTRIBUTIONS  BORON   Observation of step configuration conversion on single-domain Si(001) 1x2 surface by scanning tunneling microscope 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 22, 页码: 3336 Zhou, JM; Lin, N; Guo, LW; Zhang, MH; Huang, Q; Cue, N; Chen, T 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/24 BY-LAYER GROWTH  SI(100)  STRESS  STRAIN  GE  ROUGHNESS