机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 1990 [1]
• 1989 [4]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation 专利  OAI收割 专利号: US4928285, 申请日期: 1990-05-22, 公开日期: 1990-05-22 作者:  KUSHIBE, MITSUHIRO;  EGUCHI, KAZUHIRO;  FUNAMIZU, MASAHISA;  OHBA, YASUO   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1989217985A, 申请日期: 1989-08-31, 公开日期: 1989-08-31 作者:  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1989214192A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28 作者:  KUSHIBE MITSUHIRO;  OBA YASUO;  EGUCHI KAZUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1989214191A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28 作者:  EGUCHI KAZUHIRO;  OBA YASUO;  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1989214190A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28 作者:  EGUCHI KAZUHIRO;  OBA YASUO;  KUSHIBE MITSUHIRO;  FUNAMIZU MASAHISA   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of optical semiconductor element and growing method for low resistance semiconductor layer 专利  OAI收割 专利号: JP1991201585A, 公开日期: 1991-09-03 作者:  CHICHIBU SHIGEHIDE;  KUSHIBE MITSUHIRO;  HIRAYAMA YUZO;  FUNAMIZU MASAHISA;  ONOMURA MASAAKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26