机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]
• 2005 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005 Sun, GS (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Gong, QC (Gong, Quancheng); Gao, X (Gao, Xin); Wang, L (Wang, Lei); Liu, XF (Liu, Xingfang); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：106/29  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxial growth  low-pressure hot-wall CVD  structural and optical characteristics  intentional doping  Schottky barrier diodes   The ICP etching technology of 3C-SiC films 会议论文  OAI收割 international mems conference 2006, singapore, singapore, may 09-12, 2006 Ning J (Ning Jin); Gong QC (Gong Quancheng); Sun GS (Sun Guosheng); Liu ZL (Liu Zhongli) 收藏  |  浏览/下载：31/3  |  提交时间：2011/07/15 LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 982-985 作者:  LIU Xingfang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010 作者:  NING Jin;  LIU Xingfang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23