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机构
上海微系统与信息技术... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
1998 [3]
1997 [1]
学科主题
Electroche... [1]
Instrument... [1]
Physics, A... [1]
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共4条,第1-4条
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硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 1998, 期号: 02
张苗
;
林成鲁
;
陈立凡
;
王鲁闽
;
K.Gutjahr
;
U.M.Gosele
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提交时间:2012/03/29
Gettering of Cu by He-induced cavities in SIMOX materials
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 134, 期号: 3-4, 页码: 360-364
Zhang, M
;
Wang, LW
;
Gao, JX
;
Lin, CL
;
Hemment, PLF
;
Gutjahr, K
;
Gosele, U
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/03/25
SILICON-OXIDES
IMPLANTATION
COPPER
BREAKDOWN
NICKEL
Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 830-832
Zhang, M
;
Lin, CL
;
Hemment, PLF
;
Gutjahr, K
;
Gosele, U
收藏
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提交时间:2012/03/25
SILICON-OXIDES
BREAKDOWN
COPPER
NICKEL
Gettering of Cu to voids induced by H+ implantation in SIMOX substrate
期刊论文
OAI收割
PROCEEDINGS OF THE EIGHTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY AND DEVICES, 1997, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: 86-91
Zhang,M
;
Lin,CL
;
Hemment,PLF
;
Gutjahr,K
;
Gosele,U
收藏
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提交时间:2012/03/25