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发表日期

• 2018 [1]
• 2014 [1]
• 2013 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [5]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Role of lanthanum in thermoluminescence properties of La-2x Lu2(1-x)SiO5:Ce crystals 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 6450-6458 作者:  Ding, DZ;  Hu, ZW;  Zhang ZM(章志明);  Shi, JJ;  Hou, W   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/09/24 Anomalous Hall effect in amorphous Co40Fe40B20 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2014, 卷号: 90, 期号: 21 Su, G; Li, YF; Hou, DZ; Jin, XF; Liu, HF; Wang, SG 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/04/14 Gut microbiota dysbiosis and bacterial community assembly associated with cholesterol gallstones in large-scale study 期刊论文  OAI收割 BMC GENOMICS, 2013, 卷号: 14, 期号: X, 页码: e669 作者:  Wu T;  Zhang ZG;  Liu B;  Hou DZ;  Liang Y 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/25 Gut microbiota dysbiosis  Cholesterol gallstone  Bile  Bacterial colonization  Pyrosequencing   Effects of matrices on Mie scattering in the mid-infrared region 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2003, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 1143 Liu, XD; Li, SG; Guo, HL; Zhang, DZ; Li, ZL; Hou, LT 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 PHOTON LOCALIZATION  OPTICAL PROPERTIES  FIBERS  EXTINCTION  AMPLIFIER  MEDIA   High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389 作者:   收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/11/09 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds   High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  DIODES   High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 386-389 Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：128/14  |  提交时间：2010/08/12 characterization  molecular beam epitaxy  gallium compounds  nitrides  piezoelectric materials  semiconducting gallium compounds  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  DIODES   Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/06/13 Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence   Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  GSMBE  InGaAs/InP  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MULTILAYERS  DEFECTS  DISLOCATIONS  MODULATION  LASERS  SHIFT   GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  molecular beam epitaxy  InGaAs/InP  optical properties  QUANTUM-WELL STRUCTURES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MODULATION  EXCITONS  LASERS  SHIFT