机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2002 [2]
• 1998 [1]
• 1992 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Engineerin... [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned inalas/algaas quantum dots grown on a gaas(100) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Liu, HY;  Sellers, IR;  Airey, RJ;  Steer, MJ;  Houston, PA 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：97/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-POWER  LASER-DIODES  NM   Evidence of failure at high temperatures by metal penetration in Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAS HBTs 期刊论文  OAI收割 1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, 1998, 页码: 605-607 Shu, WM; Gu, WD; Wu, J; Xia, GQ; Houston, PA 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/25 QUASI-BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN INP/INGAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 1992, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 145-147 YANG, YF; HOUSTON, PA; HOPKINSON, M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/25