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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2011 [1]
1988 [1]
1987 [1]
1986 [2]
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共5条,第1-5条
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Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source
专利
OAI收割
专利号: US20110174288A1, 申请日期: 2011-07-21, 公开日期: 2011-07-21
作者:
HANAOKA, DAISUKE
;
ISHIDA, MASAYA
;
OGAWA, ATSUSHI
;
TANI, YOSHIHIKO
;
ISHIKURA, TAKURO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988070587A, 申请日期: 1988-03-30, 公开日期: 1988-03-30
作者:
ISHIKURA TAKURO
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提交时间:2020/01/18
Photosemiconductor element
专利
OAI收割
专利号: JP1987039085A, 申请日期: 1987-02-20, 公开日期: 1987-02-20
作者:
ISHIKURA TAKURO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: JP1986115365A, 申请日期: 1986-06-02, 公开日期: 1986-06-02
作者:
ISHIKURA TAKURO
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: JP1986096791A, 申请日期: 1986-05-15, 公开日期: 1986-05-15
作者:
ISHIKURA TAKURO
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提交时间:2020/01/18