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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 2003 [1]
• 2002 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser element and semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6999486, 申请日期: 2006-02-14, 公开日期: 2006-02-14 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device in which near-edge portion of upper cladding layer is insulated for preventing current injection 专利  OAI收割 专利号: US6901100, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31 作者:  MUKAIYAMA, AKIHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  KUNIYASU, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device with a current non-injection region near a resonator end face, and fabrication method thereof 专利  OAI收割 专利号: US6888866, 申请日期: 2005-05-03, 公开日期: 2005-05-03 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  YAMANAKA, FUSAO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device in which near-edge portion is filled with doped regrowth layer, and dopant to regrowth layer is diffused into near-edge region of active layer 专利  OAI收割 专利号: US6541291, 申请日期: 2003-04-01, 公开日期: 2003-04-01 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020146051A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18