中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

条数/页： 排序方式：
III-N device structures and methods 专利  OAI收割
专利号: US9224671, 申请日期: 2015-12-29, 公开日期: 2015-12-29
作者:  PARIKH, PRIMIT;  DORA, YUVARAJ;  WU, YIFENG;  MISHRA, UMESH;  FICHTENBAUM, NICHOLAS
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24
Interdigitated multiple pixel arrays of light-emitting devices 专利  OAI收割
专利号: US20150294960A1, 申请日期: 2015-10-15, 公开日期: 2015-10-15
作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  SHEN, LIKUN;  MISHRA, UMESH K.
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30
Iii-n device structures and methods 专利  OAI收割
专利号: US20150041861A1, 申请日期: 2015-02-12, 公开日期: 2015-02-12
作者:  PARIKH, PRIMIT;  DORA, YUVARAJ;  WU, YIFENG;  MISHRA, UMESH;  FICHTENBAUM, NICHOLAS
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/30
Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method 专利  OAI收割
专利号: US7332365, 申请日期: 2008-02-19, 公开日期: 2008-02-19
作者:  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN;  EDMOND, JOHN;  SWOBODA, CHUCK;  MISHRA, UMESH
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24
Dual surface-roughened n-face high-brightness LED 专利  OAI收割
专利号: WO2008121978A1, 公开日期: 2008-10-09
作者:  MISHRA, UMESH KUMAR;  GRUNDMANN, MICHAEL;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26
Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利  OAI收割
专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
作者:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays 专利  OAI收割
专利号: US20060223211A1, 公开日期: 2006-10-05
作者:  MISHRA, UMESH KUMAR;  KELLER, STACIA
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26