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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 专利 [5]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: EP1912298A1, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16 作者:  NIKI, SHIGERU;  FONS, PAUL;  IWATA, KAKUYA;  TANABE, TETSUHIRO;  TAKASU, HIDEMI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 Zinc oxide-based compound semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: WO2006101157A1, 申请日期: 2006-09-28, 公开日期: 2006-09-28 作者:  NAKAHARA, KEN;  TAMURA, KENTARO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for growing ZnO based oxide semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor light emitting device using the same 专利  OAI收割 专利号: US20020025594A1, 公开日期: 2002-02-28 作者:  IWATA, KAKUYA;  FONS, PAUL;  YAMADA, AKIMASA;  MATSUBARA, KOJI;  NIKI, SHIGERU   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of manufacturing semiconductor device having ZnO based oxide semiconductor layer 专利  OAI收割 专利号: US20020058351A1, 公开日期: 2002-05-16 作者:  IWATA, KAKUYA;  FONS, PAUL;  MATSUBARA, KOJI;  YAMADA, AKIMASA;  NIKI, SHIGERU   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride Semiconductor Device and Method for Growing Nitride Semiconductor Crystal Layer 专利  OAI收割 专利号: US20080308836A1, 公开日期: 2008-12-18 作者:  NAKAHARA, KEN;  TAMURA, KENTARO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26