机构

• 西安光学精密机械研究... [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 1990 [1]
• 1984 [1]
• 1981 [1]
• 1979 [1]
• 1976 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method of making a buried crescent laser with air gap insulator 专利  OAI收割 专利号: US4929571, 申请日期: 1990-05-29, 公开日期: 1990-05-29 作者:  OMURA, ETSUJI;  NAMIZAKI, HIROFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Lasers 专利  OAI收割 专利号: DE3324594A1, 申请日期: 1984-01-26, 公开日期: 1984-01-26 作者:  HIRANO,RYOICHI;  NAMIZAKI HIROFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US4277759, 申请日期: 1981-07-07, 公开日期: 1981-07-07 作者:  TANAKA, TOSHIO;  NAMIZAKI, HIROFUMI;  TAKAMIYA, SABURO;  SUSAKI, WATARU   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor injection laser device 专利  OAI收割 专利号: US4166278, 申请日期: 1979-08-28, 公开日期: 1979-08-28 作者:  SUSAKI, WATARU;  NAMIZAKI, HIROFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Process of producing semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US3961996, 申请日期: 1976-06-08, 公开日期: 1976-06-08 作者:  NAMIZAKI, HIROFUMI;  KAN, HIROFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24