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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
1990 [1]
1984 [1]
1981 [1]
1979 [1]
1976 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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Method of making a buried crescent laser with air gap insulator
专利
OAI收割
专利号: US4929571, 申请日期: 1990-05-29, 公开日期: 1990-05-29
作者:
OMURA, ETSUJI
;
NAMIZAKI, HIROFUMI
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提交时间:2019/12/24
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Lasers
专利
OAI收割
专利号: DE3324594A1, 申请日期: 1984-01-26, 公开日期: 1984-01-26
作者:
HIRANO,RYOICHI
;
NAMIZAKI HIROFUMI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US4277759, 申请日期: 1981-07-07, 公开日期: 1981-07-07
作者:
TANAKA, TOSHIO
;
NAMIZAKI, HIROFUMI
;
TAKAMIYA, SABURO
;
SUSAKI, WATARU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor injection laser device
专利
OAI收割
专利号: US4166278, 申请日期: 1979-08-28, 公开日期: 1979-08-28
作者:
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提交时间:2019/12/26
Process of producing semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US3961996, 申请日期: 1976-06-08, 公开日期: 1976-06-08
作者:
NAMIZAKI, HIROFUMI
;
KAN, HIROFUMI
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提交时间:2019/12/24