中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2018 [1]
2017 [2]
2016 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
专利
OAI收割
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:
CHENG, CHENG-WEI
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
SADANA, DEVENDRA K.
;
SHIU, KUEN-TING
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Method of making a gallium nitride device
专利
OAI收割
专利号: US20170294517A1, 申请日期: 2017-10-12, 公开日期: 2017-10-12
作者:
BEDELL, STEPHEN W.
;
FOGEL, KEITH E.
;
LAURO, PAUL A.
;
SADANA, DEVENDRA K.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Integration of bonded optoelectronics, photonics waveguide and VLSI soi
专利
OAI收割
专利号: US20170123150A1, 申请日期: 2017-05-04, 公开日期: 2017-05-04
作者:
BUDD, RUSSELL A.
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
PLOUCHART, JEAN-OLIVIER
;
SADANA, DEVENDRA K.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS
专利
OAI收割
专利号: US9372307, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:
BUDD, RUSSELL A.
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
PLOUCHART, JEAN-OLIVIER
;
SADANA, DEVENDRA K.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/24