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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• 2017 [2]
• 2012 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates 专利  OAI收割 专利号: US9853420, 申请日期: 2017-12-26, 公开日期: 2017-12-26 作者:  RARING, JAMES W.;  SCHMIDT, MATHEW;  POBLENZ, CHRISTIANE   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Optical device structure using GaN substrates for laser applications 专利  OAI收割 专利号: US9722398, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01 作者:  RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F.;  PFISTER, NICHOLAS J.;  SHARMA, RAJAT;  SCHMIDT, MATHEW C.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 High indium containing InGaN substrates for long wavelength optical devices 专利  OAI收割 专利号: US8306081, 申请日期: 2012-11-06, 公开日期: 2012-11-06 作者:  SCHMIDT, MATHEW;  D'EVELYN, MARK P.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes 专利  OAI收割 专利号: US8211723, 申请日期: 2012-07-03, 公开日期: 2012-07-03 作者:  FEEZELL, DANIEL F.;  SCHMIDT, MATHEW C.;  KIM, KWANG-CHOONG;  FARRELL, ROBERT M.;  COHEN, DANIEL A.   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/24