机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [3]
• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2016 [1]
• 2015 [2]
• 2012 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8 作者:  Wu, H;  Ji, L;  Harasawa, R;  Yasue, Y;  Aritake, T 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of picosecond electron spin relaxation in InGaAsP by time-resolved spin-dependent pump and probe reflection measurement 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2015, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 4 作者:  Harasawa, R;  Yamamoto, N;  Wu, H(吴昊);  Aritake, T;  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  semiconductors  spin relaxation  spintronics   Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2015, 卷号: 137, 页码: 5 作者:  Ji, L(季莲);  Tan, M(谭明);  Honda, K;  Harasawa, R;  Yasue, Y 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Quantum efficiency  Carrier recombination dynamics   Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 2, 页码: 023509, 023509 作者:  He, W;  Lu, S.L;  Jiang, D.S;  Dong, J.R;  Tackeuchi, A   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/07 Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206 Lu SL (Lu, Shulong); Nosho H (Nosho, Hidetaka); Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi); Bian LF (Bian, Lifeng); Dong JR (Dong, Jianrong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：184/28  |  提交时间：2010/03/08 ALLOYS   Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 5, 页码: art. no. 051908 Lu SL; Bian LF; Uesugi M; Nosho H; Tackeuchi A; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：51/2  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY