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西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2018 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
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共4条,第1-4条
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Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: US20180083173A1, 申请日期: 2018-03-22, 公开日期: 2018-03-22
作者:
YAMAMOTO, SHUHICHIROH
;
UETA, YOSHIHIRO
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提交时间:2019/12/30
Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control
专利
OAI收割
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:
ITO, SHIGETOSHI
;
YUASA, TAKAYUKI
;
UETA, YOSHIHIRO
;
TANEYA, MOTOTAKA
;
TANI, ZENPEI
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: US7515621, 申请日期: 2009-04-07, 公开日期: 2009-04-07
作者:
ITO, SHIGETOSHI
;
TSUDA, YUHZOH
;
UETA, YOSHIHIRO
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus
专利
OAI收割
专利号: US7462882, 申请日期: 2008-12-09, 公开日期: 2008-12-09
作者:
UETA, YOSHIHIRO
;
TAKAKURA, TERUYOSHI
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
TSUDA, YUHZOH
;
ITO, SHIGETOSHI
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提交时间:2019/12/26