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Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: US20180083173A1, 申请日期: 2018-03-22, 公开日期: 2018-03-22
作者:  
YAMAMOTO, SHUHICHIROH;  UETA, YOSHIHIRO
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Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control 专利  OAI收割
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:  
ITO, SHIGETOSHI;  YUASA, TAKAYUKI;  UETA, YOSHIHIRO;  TANEYA, MOTOTAKA;  TANI, ZENPEI
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: US7515621, 申请日期: 2009-04-07, 公开日期: 2009-04-07
作者:  
ITO, SHIGETOSHI;  TSUDA, YUHZOH;  UETA, YOSHIHIRO
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Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus 专利  OAI收割
专利号: US7462882, 申请日期: 2008-12-09, 公开日期: 2008-12-09
作者:  
UETA, YOSHIHIRO;  TAKAKURA, TERUYOSHI;  KAMIKAWA, TAKESHI;  TSUDA, YUHZOH;  ITO, SHIGETOSHI
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