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西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2006 [1]
2004 [1]
2003 [2]
2002 [2]
学科主题
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共6条,第1-6条
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Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer
专利
OAI收割
专利号: US7123637, 申请日期: 2006-10-17, 公开日期: 2006-10-17
作者:
KNEISSL, MICHAEL A.
;
BOUR, DAVID P.
;
ROMANO, LINDA T.
;
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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提交时间:2019/12/26
Laser diode with metal-oxide upper cladding layer
专利
OAI收割
专利号: US20040184497A1, 申请日期: 2004-09-23, 公开日期: 2004-09-23
作者:
KNEISSL, MICHAEL A.
;
ROMANO, LINDA T.
;
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/12/31
Structure and method for self-aligned, index-guided, buried heterostructure AlGalnN laser diodes
专利
OAI收割
专利号: US6567443, 申请日期: 2003-05-20, 公开日期: 2003-05-20
作者:
BOUR, DAVID P.
;
KNEISSL, MICHAEL A.
;
ROMANO, LINDA T.
;
PAOLI, THOMAS L.
;
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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提交时间:2019/12/26
Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection
专利
OAI收割
专利号: US6515308, 申请日期: 2003-02-04, 公开日期: 2003-02-04
作者:
KNEISSL, MICHAEL A.
;
KIESEL, PETER
;
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
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提交时间:2019/12/26
Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
专利
OAI收割
专利号: US6430202, 申请日期: 2002-08-06, 公开日期: 2002-08-06
作者:
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
;
BOUR, DAVID P.
;
KNEISSL, MICHAEL A.
;
ROMANO, LINDA T.
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提交时间:2020/01/18
Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
专利
OAI收割
专利号: US6389051, 申请日期: 2002-05-14, 公开日期: 2002-05-14
作者:
VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
;
BOUR, DAVID P.
;
KNEISSL, MICHAEL A.
;
ROMANO, LINDA T.
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提交时间:2019/12/26