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Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M; Zhang, Z（重点实验室）X; Wei, X; Bi, DW（重点实验室）; Zou, S（重点实验室）C; Wang, X（重点实验室）
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Analysis of bias effects on the total ionizing dose response in a 180 nm technology 期刊论文  OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2011, 卷号: 644, 期号: 1, 页码: 48-54
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, Z（重点实验室）X; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/05/10
Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS C, 2008, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 989-991
Yu, WL; Zhang, Z（重点实验室）X; He, W; Tian, H; Chen, M; Wang, R; Bi, DW（重点实验室）; Zhang, S; Wang, X（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/05/10